창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DB106G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DB105G~107G DB(S);MDBS;WOM Pkg Drawing | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 브리지 정류기 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 단상 | |
전압 - 피크 역(최대) | 800V | |
전류 - DC 순방향(If) | 1A | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 4-EDIP(0.321", 8.15mm) | |
공급 장치 패키지 | DB | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | DB106GGN | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DB106G | |
관련 링크 | DB1, DB106G 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
VJ0402D2R1BLAAJ | 2.1pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D2R1BLAAJ.pdf | ||
C927U300JZNDAAWL20 | 30pF 440VAC 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.354" Dia(9.00mm) | C927U300JZNDAAWL20.pdf | ||
RF2626-000 | POLYSWITCH RUE SERIES 2.50A | RF2626-000.pdf | ||
DFE252008C-3R3M=P2 | 3.3µH Shielded Wirewound Inductor 1.3A 252 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | DFE252008C-3R3M=P2.pdf | ||
MBC817-25LT1 | MBC817-25LT1 ORIGINAL SMD or Through Hole | MBC817-25LT1.pdf | ||
WR06X123JT | WR06X123JT WALSIN SMD | WR06X123JT.pdf | ||
DM114-RSP1 | DM114-RSP1 SITI SMD or Through Hole | DM114-RSP1.pdf | ||
AVS7101B01. | AVS7101B01. ASICEN QFP | AVS7101B01..pdf | ||
GCM188R71H333KA51D | GCM188R71H333KA51D MRATA SMD | GCM188R71H333KA51D.pdf | ||
FMG36S.. | FMG36S.. SK TO3P | FMG36S...pdf | ||
CA45 B 100UF 6.3V M | CA45 B 100UF 6.3V M TASUND SMD or Through Hole | CA45 B 100UF 6.3V M.pdf |