창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DB102-G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DB101~107-G | |
PCN 설계/사양 | Lead Frame 07/Mar/2016 Mult Dev DataSheet Update 28/Jul/2016 | |
PCN 포장 | Label D/C Chg24/Mar/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 브리지 정류기 | |
제조업체 | Comchip Technology | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 단상 | |
전압 - 피크 역(최대) | 100V | |
전류 - DC 순방향(If) | 1A | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 4-EDIP(0.321", 8.15mm) | |
공급 장치 패키지 | DB | |
표준 포장 | 2,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DB102-G | |
관련 링크 | DB10, DB102-G 데이터 시트, Comchip Technology 에이전트 유통 |
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![]() | MBRF300200R | DIODE SCHOTTKY 200V 150A TO244AB | MBRF300200R.pdf | |
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![]() | IMCH1812ER1R0K | 1µH Unshielded Wirewound Inductor 1.05A 110 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | IMCH1812ER1R0K.pdf | |
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![]() | CR21680JF | CR21680JF ASJ SMD or Through Hole | CR21680JF.pdf | |
![]() | DAP 215 | DAP 215 ORIGINAL TO-92 | DAP 215.pdf | |
![]() | UPD61218FA-100-EN7-A | UPD61218FA-100-EN7-A RENESAS SMD or Through Hole | UPD61218FA-100-EN7-A.pdf |