창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DB-5R5D104T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | ||
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DB, DBN Series | |
| 주요제품 | Electric Double Layer Capacitor DYNACAP Series | |
| 카탈로그 페이지 | 1909 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 전기 이중층 커패시터, 슈퍼 커패시터 | |
| 제조업체 | Elna America | |
| 계열 | DB | |
| 포장 | 벌크 | |
| 정전 용량 | 100mF | |
| 허용 오차 | -20%, +80% | |
| 전압 - 정격 | 5.5V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | 75옴 @ 1kHz | |
| 수명 @ 온도 | 1000시간(70°C) | |
| 종단 | 스루홀 | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 레이디얼, Can | |
| 리드 간격 | 0.197"(5.00mm) | |
| 크기/치수 | 0.531" Dia(13.50mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 0.295"(7.50mm) | |
| 작동 온도 | -25°C ~ 70°C | |
| 표준 포장 | 200 | |
| 다른 이름 | 604-1001 DB5R5D104T | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DB-5R5D104T | |
| 관련 링크 | DB-5R5, DB-5R5D104T 데이터 시트, Elna America 에이전트 유통 | |
![]() | SIT1602BC-81-33E-50.000000Y | OSC XO 3.3V 50MHZ OE | SIT1602BC-81-33E-50.000000Y.pdf | |
![]() | AT1206BRD0711R3L | RES SMD 11.3 OHM 0.1% 1/4W 1206 | AT1206BRD0711R3L.pdf | |
| RSMF2FT332R | RES METAL OX 2W 332 OHM 1% AXL | RSMF2FT332R.pdf | ||
![]() | ZSF66RXW | ZSF66RXW ORIGINAL BGA | ZSF66RXW.pdf | |
![]() | STI9510AMS | STI9510AMS SAMSUNG DIP-40 | STI9510AMS.pdf | |
![]() | EX64-PTQ64I | EX64-PTQ64I Actel QFP64 | EX64-PTQ64I.pdf | |
![]() | TAWD685M035R0600 | TAWD685M035R0600 AVX SMD | TAWD685M035R0600.pdf | |
![]() | TV06B9V0JB | TV06B9V0JB COMCHIP SMB(DO-214AA) | TV06B9V0JB.pdf | |
![]() | AVS336M25C12T | AVS336M25C12T CornellDub NA | AVS336M25C12T.pdf | |
![]() | VGV475M025S0ANB010 | VGV475M025S0ANB010 ORIGINAL SMD or Through Hole | VGV475M025S0ANB010.pdf | |
![]() | BTA212X-600F | BTA212X-600F PHL/NXP TO-220F | BTA212X-600F.pdf | |
![]() | SM79164AC25J | SM79164AC25J SyncMOS SMD or Through Hole | SM79164AC25J.pdf |