창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DA3606 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | DA3606 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SOP-8 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | DA3606 | |
| 관련 링크 | DA3, DA3606 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | MA-406 7.6800M50X-C0: ROHS | 7.68MHz ±50ppm 수정 18pF 80옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | MA-406 7.6800M50X-C0: ROHS.pdf | |
![]() | HM66A-1030220NLF13 | 22µH Shielded Wirewound Inductor 1.78A 145.4 mOhm Max Nonstandard | HM66A-1030220NLF13.pdf | |
![]() | MCT0603MD3922BP100 | RES SMD 39.2K OHM 0.1% 1/8W 0603 | MCT0603MD3922BP100.pdf | |
![]() | IFD-53010 | IFD-53010 ORIGINAL SMD or Through Hole | IFD-53010.pdf | |
![]() | CIH21T6N8JNE | CIH21T6N8JNE SAMSUNG SMD or Through Hole | CIH21T6N8JNE.pdf | |
![]() | QM1200 | QM1200 ORIGINAL DIP | QM1200.pdf | |
![]() | EPM8282ATC100-4N | EPM8282ATC100-4N ALTERA QFP | EPM8282ATC100-4N.pdf | |
![]() | 224 50V 10% B | 224 50V 10% B avetron SMD or Through Hole | 224 50V 10% B.pdf | |
![]() | V53C16258LT50/HT40/HT35/SILT50 | V53C16258LT50/HT40/HT35/SILT50 MEMORY SMD | V53C16258LT50/HT40/HT35/SILT50.pdf | |
![]() | SFH7773 | SFH7773 OSRAM SMD or Through Hole | SFH7773.pdf | |
![]() | 4003T3 | 4003T3 DB SMD or Through Hole | 4003T3.pdf | |
![]() | LT1977IFE#TR | LT1977IFE#TR LT TSSOP16 | LT1977IFE#TR.pdf |