창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-D3Z5V6BF-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | D3Z2V4BF ~ D3Z36BF | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.61V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 400mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 50옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 2.5V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 100mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-90, SOD-323F | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-323F | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | D3Z5V6BF-7DITR D3Z5V6BF7 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | D3Z5V6BF-7 | |
| 관련 링크 | D3Z5V6, D3Z5V6BF-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | SIT1618BA-81-33E-7.372800Y | OSC XO 3.3V 7.3728MHZ OE | SIT1618BA-81-33E-7.372800Y.pdf | |
![]() | MBB02070C6801FC100 | RES 6.8K OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C6801FC100.pdf | |
![]() | K4H281633H-BN75 | K4H281633H-BN75 SAM SMD or Through Hole | K4H281633H-BN75.pdf | |
![]() | SN75C183 | SN75C183 TI SOP-3.9-14P | SN75C183.pdf | |
![]() | 1091M-12V | 1091M-12V Chicago LED | 1091M-12V.pdf | |
![]() | HPPL-R001-0158 | HPPL-R001-0158 ORIGINAL SMD or Through Hole | HPPL-R001-0158.pdf | |
![]() | 14FF-1Z-A1 | 14FF-1Z-A1 ORIGINAL SMD or Through Hole | 14FF-1Z-A1.pdf | |
![]() | 84LR3J3J1 | 84LR3J3J1 FUJI BGA | 84LR3J3J1.pdf | |
![]() | MX7533JEWE | MX7533JEWE MAXIM SOP-16 | MX7533JEWE.pdf | |
![]() | 30F2011-20i/SO | 30F2011-20i/SO MICROCHIP SMD or Through Hole | 30F2011-20i/SO.pdf | |
![]() | ALP5110 | ALP5110 TI QFN-32 | ALP5110.pdf | |
![]() | TC551001AFL-70 | TC551001AFL-70 TOS SOP32 | TC551001AFL-70.pdf |