창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-D3Z2V7BF-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | D3Z2V4BF ~ D3Z36BF | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 2.8V | |
| 허용 오차 | ±4% | |
| 전력 - 최대 | 400mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 100옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 20µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 100mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-90, SOD-323F | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-323F | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | D3Z2V7BF-7DITR D3Z2V7BF7 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | D3Z2V7BF-7 | |
| 관련 링크 | D3Z2V7, D3Z2V7BF-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | EET-HC2V821LA | 820µF 350V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 202 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 105°C | EET-HC2V821LA.pdf | |
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![]() | 6MBP100NA-060 | 6MBP100NA-060 FUJI SMD or Through Hole | 6MBP100NA-060.pdf | |
![]() | N20S12832EG | N20S12832EG ORIGINAL SMD or Through Hole | N20S12832EG.pdf | |
![]() | KS57C2616-THD | KS57C2616-THD SAMSUNG QFP | KS57C2616-THD.pdf | |
![]() | 39-30-0020 | 39-30-0020 MOLEX SMD or Through Hole | 39-30-0020.pdf | |
![]() | LM25116EVAL | LM25116EVAL NS SMD or Through Hole | LM25116EVAL.pdf | |
![]() | PG0015.563NL | PG0015.563NL PULSE SMD | PG0015.563NL.pdf | |
![]() | FXR2G682YF | FXR2G682YF HIT DIP | FXR2G682YF.pdf | |
![]() | RF80R.1H106M-T | RF80R.1H106M-T MARUWA SMD or Through Hole | RF80R.1H106M-T.pdf |