창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-D2TO035C51R00FTE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | D2TO35 | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
| 제조업체 | Vishay Sfernice | |
| 계열 | D2TO35 | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 51 | |
| 허용 오차 | ±1% | |
| 전력(와트) | 35W | |
| 구성 | 후막 | |
| 특징 | 자동차 AEC-Q200, 내습성, 비유도 | |
| 온도 계수 | ±150ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263(D²Pak) | |
| 크기/치수 | 0.398" L x 0.346" W(10.10mm x 8.80mm) | |
| 높이 | 0.189"(4.80mm) | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | D2TO035C51R00FTE3 | |
| 관련 링크 | D2TO035C51, D2TO035C51R00FTE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | D121G33U2JH63L2R | 120pF 100V 세라믹 커패시터 U2J 방사형, 디스크 0.335" Dia(8.50mm) | D121G33U2JH63L2R.pdf | |
![]() | AISC-1210H-180K-T | 18µH Unshielded Wirewound Inductor 450mA 978 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | AISC-1210H-180K-T.pdf | |
![]() | 14027 | 14027 ON SOP | 14027.pdf | |
![]() | 70246-4001 | 70246-4001 ORIGINAL SMD or Through Hole | 70246-4001.pdf | |
![]() | TSM0B104F4251RZ | TSM0B104F4251RZ THINKING SMD or Through Hole | TSM0B104F4251RZ.pdf | |
![]() | TMS470R1VF67AGJZQ | TMS470R1VF67AGJZQ TI BGA | TMS470R1VF67AGJZQ.pdf | |
![]() | UPA1951TE-T1B | UPA1951TE-T1B NEC SOT-163 | UPA1951TE-T1B.pdf | |
![]() | NCP303LSN29T1 | NCP303LSN29T1 ON SOT23-5 | NCP303LSN29T1.pdf | |
![]() | KUB2823-01 | KUB2823-01 HOSIDEN SMD or Through Hole | KUB2823-01.pdf | |
![]() | MMBT914LT1G | MMBT914LT1G ON SOT-23 | MMBT914LT1G.pdf | |
![]() | R06141152 | R06141152 RALEC SOT223 | R06141152.pdf | |
![]() | TP-402 | TP-402 RX SMD or Through Hole | TP-402.pdf |