창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-D12V0H1U2LP1610-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | D12V0H1U2LP1610 | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 다이오드 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
유형 | 제너 | |
단방향 채널 | 1 | |
양방향 채널 | - | |
전압 - 역스탠드오프(통상) | 12V(최대) | |
전압 - 항복(최소) | 13V | |
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 20V | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 50A(8/20µs) | |
전력 - 피크 펄스 | 1000W(1kW) | |
전력선 보호 | 없음 | |
응용 제품 | 범용 | |
정전 용량 @ 주파수 | 350pF @ 1MHz | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 2-UFDFN | |
공급 장치 패키지 | U-DFN1610-2 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | D12V0H1U2LP1610-7DITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | D12V0H1U2LP1610-7 | |
관련 링크 | D12V0H1U2L, D12V0H1U2LP1610-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
CMR04E560JPDM | CMR MICA | CMR04E560JPDM.pdf | ||
STL66N3LLH5 | MOSFET N-CH 30V 21A POWERFLAT56 | STL66N3LLH5.pdf | ||
HRG3216P-71R5-B-T1 | RES SMD 71.5 OHM 0.1% 1W 1206 | HRG3216P-71R5-B-T1.pdf | ||
4308R-104-181/391 | RES NETWORK 12 RES MULT OHM 8SIP | 4308R-104-181/391.pdf | ||
V23079-G2011-B301 | V23079-G2011-B301 AXICOM SMD8 | V23079-G2011-B301.pdf | ||
K5R4G1GACM-BL60 | K5R4G1GACM-BL60 SAMSUNG FBGA | K5R4G1GACM-BL60.pdf | ||
DR381B-NL4 | DR381B-NL4 DUREL SMD or Through Hole | DR381B-NL4.pdf | ||
1812XA102JAT3A | 1812XA102JAT3A ORIGINAL SMD or Through Hole | 1812XA102JAT3A.pdf | ||
LM358N/AN | LM358N/AN NS DIP | LM358N/AN.pdf | ||
GEFOECE2MX 200 B3 | GEFOECE2MX 200 B3 ORIGINAL SMD or Through Hole | GEFOECE2MX 200 B3.pdf | ||
CXA1121Q-T3 | CXA1121Q-T3 SONY QFP | CXA1121Q-T3.pdf |