창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CZRW55C3V6-G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CZRW55C2V4~39-G Series | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Declaration SOD-123 Series Material Declaration | |
| PCN 포장 | Label D/C Chg24/Mar/2016 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Comchip Technology | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.6V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-123 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CZRW55C3V6-G | |
| 관련 링크 | CZRW55C, CZRW55C3V6-G 데이터 시트, Comchip Technology 에이전트 유통 | |
![]() | CFH350A4R7J | RES CHAS MNT 4.7 OHM 5% 750W | CFH350A4R7J.pdf | |
![]() | ADM6315-27D1ART-RL7 | ADM6315-27D1ART-RL7 AD SOT-143 | ADM6315-27D1ART-RL7.pdf | |
![]() | IDT70V659-S12BF | IDT70V659-S12BF IDT BGA | IDT70V659-S12BF.pdf | |
![]() | RD18ES-T1 AB1 | RD18ES-T1 AB1 NEC DO34 | RD18ES-T1 AB1.pdf | |
![]() | MCC161-20io1/MCC161-22io1 | MCC161-20io1/MCC161-22io1 IXYS Y4-M6 | MCC161-20io1/MCC161-22io1.pdf | |
![]() | 7.5BRD12W5LC | 7.5BRD12W5LC MR DIP6 | 7.5BRD12W5LC.pdf | |
![]() | HAT2027R-EL-E | HAT2027R-EL-E RENESAS Call | HAT2027R-EL-E.pdf | |
![]() | MGSB3216A202T-LF | MGSB3216A202T-LF ORIGINAL SMD | MGSB3216A202T-LF.pdf | |
![]() | PM50RH120 | PM50RH120 ORIGINAL SMD or Through Hole | PM50RH120.pdf | |
![]() | FA1L3Z-T1B(L37) | FA1L3Z-T1B(L37) NEC SOT-23 | FA1L3Z-T1B(L37).pdf | |
![]() | LTA150B850F | LTA150B850F TOSHIBA SMD or Through Hole | LTA150B850F.pdf | |
![]() | 2CL2J | 2CL2J ORIGINAL DIP | 2CL2J.pdf |