창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CZRV5245B-G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CZRV5223B~5256B-G Series | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Declaration | |
| PCN 포장 | Label D/C Chg24/Mar/2016 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Comchip Technology | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 15V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 16옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 11V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -60°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-76, SOD-323 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-323 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CZRV5245B-G | |
| 관련 링크 | CZRV52, CZRV5245B-G 데이터 시트, Comchip Technology 에이전트 유통 | |
![]() | 170M6010 | FUSE SQ 630A 700VAC RECTANGULAR | 170M6010.pdf | |
![]() | 0677.630DRT4 | FUSE CERAMIC 630MA 250VAC AXIAL | 0677.630DRT4.pdf | |
![]() | 416F27112CDT | 27.12MHz ±10ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27112CDT.pdf | |
![]() | S8055WTP | SCR NON-SENS 800V 55A TO-218X | S8055WTP.pdf | |
![]() | MT-6516-8 | MT-6516-8 H DIP | MT-6516-8.pdf | |
![]() | NP3500SBT3G | NP3500SBT3G ON SMD or Through Hole | NP3500SBT3G.pdf | |
![]() | 176LD | 176LD NSC QFP-176P | 176LD.pdf | |
![]() | K4F410811D-JL60 | K4F410811D-JL60 SAMSUNG SOJ | K4F410811D-JL60.pdf | |
![]() | 52005590 | 52005590 N/A SMD or Through Hole | 52005590.pdf | |
![]() | LM809M-2.9 | LM809M-2.9 NS N A | LM809M-2.9.pdf | |
![]() | HQFNLEG5 | HQFNLEG5 TAC QFN56 | HQFNLEG5.pdf | |
![]() | MAT04BY | MAT04BY ADI Call | MAT04BY.pdf |