창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CZRT55C3V6-G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CZRT55C2V4~39-G | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Declaration SOT-23 Series Material Declaration | |
| PCN 포장 | Label D/C Chg24/Mar/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Comchip Technology | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.6V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 350mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CZRT55C3V6-G | |
| 관련 링크 | CZRT55C, CZRT55C3V6-G 데이터 시트, Comchip Technology 에이전트 유통 | |
![]() | VLS252015T-100MR66 | 10µH Shielded Wirewound Inductor 660mA 588 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | VLS252015T-100MR66.pdf | |
![]() | RG2012P-3011-W-T5 | RES SMD 3.01KOHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012P-3011-W-T5.pdf | |
![]() | RG2012N-472-W-T5 | RES SMD 4.7K OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012N-472-W-T5.pdf | |
![]() | IK21101L | IK21101L ORIGINAL BGA | IK21101L.pdf | |
![]() | ECQE10104JF3 | ECQE10104JF3 panasonic SMD or Through Hole | ECQE10104JF3.pdf | |
![]() | CY7C1383BV25-100BGC | CY7C1383BV25-100BGC CYP Call | CY7C1383BV25-100BGC.pdf | |
![]() | PEB-20321-H | PEB-20321-H N/A NC | PEB-20321-H.pdf | |
![]() | NH1H685M1635MSS280 | NH1H685M1635MSS280 SAMWHA SMD or Through Hole | NH1H685M1635MSS280.pdf | |
![]() | FMM56052ET | FMM56052ET FUJITSU TSSOP-16 | FMM56052ET.pdf | |
![]() | HX8119 | HX8119 HIMAX TCPCOF | HX8119.pdf | |
![]() | 50v470uf YXA | 50v470uf YXA ORIGINAL SMD or Through Hole | 50v470uf YXA.pdf | |
![]() | BT8230EPFB | BT8230EPFB BT QFP | BT8230EPFB.pdf |