창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CZRT5228B-HF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CZRT5222B~5256B-HF | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Declaration SOT-23 HF Series Material Declaration | |
| PCN 포장 | Label D/C Chg24/Mar/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Comchip Technology | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.9V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 350mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 23옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CZRT5228B-HF | |
| 관련 링크 | CZRT522, CZRT5228B-HF 데이터 시트, Comchip Technology 에이전트 유통 | |
![]() | CMF559K4250BEEA | RES 9.425K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF559K4250BEEA.pdf | |
![]() | UPD78218AGC-154-8EU | UPD78218AGC-154-8EU ORIGINAL QFP | UPD78218AGC-154-8EU.pdf | |
![]() | 3P80G9XZZ-SN99 | 3P80G9XZZ-SN99 SAMSUNG SOP28 | 3P80G9XZZ-SN99.pdf | |
![]() | DTSMW-68S-V-T/R | DTSMW-68S-V-T/R DIPTRONICSMANUFAC SMD or Through Hole | DTSMW-68S-V-T/R.pdf | |
![]() | STP3NA100 | STP3NA100 ST TO-220 | STP3NA100.pdf | |
![]() | 2N1399 | 2N1399 ORIGINAL CAN | 2N1399.pdf | |
![]() | MGA011-264 | MGA011-264 ORIGINAL SMD or Through Hole | MGA011-264.pdf | |
![]() | XS117 | XS117 CLCAER DIP8 | XS117.pdf | |
![]() | PC16552DVXNOPB | PC16552DVXNOPB NATIONALSEMICONDU SMD or Through Hole | PC16552DVXNOPB.pdf | |
![]() | RBI-ES-DC4.5V | RBI-ES-DC4.5V ORIGINAL SMD or Through Hole | RBI-ES-DC4.5V.pdf | |
![]() | HZS3B2 | HZS3B2 HITACHI/RENESAS DO-34 | HZS3B2.pdf | |
![]() | MAX9724BEBC T | MAX9724BEBC T MAXIM UCSP | MAX9724BEBC T.pdf |