창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CZRQR4V3B-HF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CZRQR2V4B~39VB-HF | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Declaration | |
| PCN 포장 | Label D/C Chg24/Mar/2016 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Comchip Technology | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.3V | |
| 허용 오차 | ±3% | |
| 전력 - 최대 | 125mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 88옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 0402(1006 미터법) | |
| 공급 장치 패키지 | 0402 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CZRQR4V3B-HF | |
| 관련 링크 | CZRQR4V, CZRQR4V3B-HF 데이터 시트, Comchip Technology 에이전트 유통 | |
![]() | SMCG6062E3/TR13 | TVS DIODE 73VWM 131VC DO215AB | SMCG6062E3/TR13.pdf | |
![]() | RT0603BRB073KL | RES SMD 3K OHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRB073KL.pdf | |
![]() | Y1073120R000T0L | RES 120 OHM 1/4W 0.01% RADIAL | Y1073120R000T0L.pdf | |
![]() | P51-100-A-G-D-20MA-000-000 | Pressure Sensor 100 PSI (689.48 kPa) Absolute Male - 1/8" (3.18mm) NPT 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-100-A-G-D-20MA-000-000.pdf | |
![]() | AFCB-NAF . | AFCB-NAF . AMIS SOP28 | AFCB-NAF ..pdf | |
![]() | K30-3C0E32.0000MR | K30-3C0E32.0000MR AVX SMD or Through Hole | K30-3C0E32.0000MR.pdf | |
![]() | 16SB04M | 16SB04M NEC TO-3P | 16SB04M.pdf | |
![]() | HESO50ZE-ANT | HESO50ZE-ANT TUV SMD or Through Hole | HESO50ZE-ANT.pdf | |
![]() | 2SB668A | 2SB668A MAT TO-220 | 2SB668A.pdf | |
![]() | TL594CDTBR | TL594CDTBR TI TSSOP | TL594CDTBR.pdf | |
![]() | TZBX4Z250AA110T00 | TZBX4Z250AA110T00 MURATA 4X4-25P | TZBX4Z250AA110T00.pdf |