창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CY7C1061AV33-10ZXC SRAM 1M*16 10NS 3.3V | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | CY7C1061AV33-10ZXC SRAM 1M*16 10NS 3.3V | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | CY7C1061AV33-10ZXC SRAM 1M*16 10NS 3.3V | |
| 관련 링크 | CY7C1061AV33-10ZXC SRAM, CY7C1061AV33-10ZXC SRAM 1M*16 10NS 3.3V 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | 416F26022IAT | 26MHz ±20ppm 수정 10pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F26022IAT.pdf | |
![]() | 747250-2 | 747250-2 TYCO con | 747250-2.pdf | |
![]() | 62922CR4Z | 62922CR4Z INTERSIL QFN16 | 62922CR4Z.pdf | |
![]() | S-80718AN-DF-T1 | S-80718AN-DF-T1 SEIKO SOT89 | S-80718AN-DF-T1.pdf | |
![]() | M301N2M4V-XXXFP | M301N2M4V-XXXFP Renesas SMD or Through Hole | M301N2M4V-XXXFP.pdf | |
![]() | RA8193 | RA8193 FAIRCHIL PLCC44 | RA8193.pdf | |
![]() | NH82801GR-SL8FY | NH82801GR-SL8FY INTEL BGA | NH82801GR-SL8FY.pdf | |
![]() | SM6HT24A-TR | SM6HT24A-TR ST DO-214AA | SM6HT24A-TR.pdf | |
![]() | PV32N200A01B00 | PV32N200A01B00 MURATA DIP | PV32N200A01B00.pdf | |
![]() | SN65HVD3086EDGSR | SN65HVD3086EDGSR TI MSOP10 | SN65HVD3086EDGSR.pdf |