Central Semiconductor Corp CXDM1002N TR

CXDM1002N TR
제조업체 부품 번호
CXDM1002N TR
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89
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CXDM1002N TR 매개 변수
내부 부품 번호EIS-CXDM1002N TR
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서CXDM1002N
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Declaration of Compliance
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Central Semiconductor Corp
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C2A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs300m옴 @ 2A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs6nC(5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds550pF @ 25V
전력 - 최대1.2W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-243AA
공급 장치 패키지SOT-89
표준 포장 1,000
다른 이름CXDM1002N TR LEAD FREE
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)CXDM1002N TR
관련 링크CXDM100, CXDM1002N TR 데이터 시트, Central Semiconductor Corp 에이전트 유통
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