창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CWDM3011N TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CWDM3011N | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Declaration of Compliance | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Central Semiconductor Corp | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 20m옴 @ 11A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.3nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 860pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SOIC | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | CWDM3011N TR13 LEAD FREE | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CWDM3011N TR13 | |
관련 링크 | CWDM3011, CWDM3011N TR13 데이터 시트, Central Semiconductor Corp 에이전트 유통 |
CK45-R3FD181K-NR | 180pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 R 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | CK45-R3FD181K-NR.pdf | ||
HSA102R0J | RES CHAS MNT 2 OHM 5% 16W | HSA102R0J.pdf | ||
WS57C256F-25TMB | WS57C256F-25TMB WSI CWDIP28 | WS57C256F-25TMB.pdf | ||
AT93C46R-10SI2.7 | AT93C46R-10SI2.7 ATMEL SOP8 | AT93C46R-10SI2.7.pdf | ||
S80146ALMC-JA7T2G | S80146ALMC-JA7T2G SII/Seiko/ SOT-23-5 | S80146ALMC-JA7T2G.pdf | ||
SI30179 | SI30179 SI SMD or Through Hole | SI30179.pdf | ||
475900001 | 475900001 MOLEX SMD or Through Hole | 475900001.pdf | ||
RES1100SM | RES1100SM N/A SMD or Through Hole | RES1100SM.pdf | ||
1901-0884 | 1901-0884 IRW SMD or Through Hole | 1901-0884.pdf | ||
DESD33A331KJ2B | DESD33A331KJ2B MURATA DIP | DESD33A331KJ2B.pdf | ||
UC1823J/8838 | UC1823J/8838 UC DIP-16P | UC1823J/8838.pdf |