창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CV201210-150K | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Inductors/Chokes Selection Guide CV201210 Series Design Kits Inductive Components | |
| 3D 모델 | CV201210-150K.stp | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 인덕터, 코일, 초크 | |
| 제품군 | 고정 인덕터 | |
| 제조업체 | Bourns Inc. | |
| 계열 | CV201210 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 유형 | 다층 | |
| 소재 - 코어 | 페라이트 | |
| 유도 용량 | 15µH | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 정격 전류 | 5mA | |
| 전류 - 포화 | - | |
| 차폐 | 차폐 | |
| DC 저항(DCR) | 800m옴최대 | |
| Q @ 주파수 | 30 @ 1MHz | |
| 주파수 - 자기 공진 | 19MHz | |
| 등급 | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 주파수 - 테스트 | 1MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 0.057"(1.45mm) | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CV201210-150K | |
| 관련 링크 | CV20121, CV201210-150K 데이터 시트, Bourns Inc. 에이전트 유통 | |
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![]() | BFC238361682 | 6800pF Film Capacitor 700V 2000V (2kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.335" W (17.50mm x 8.50mm) | BFC238361682.pdf | |
![]() | TAJW336K016RNJ | 33µF Molded Tantalum Capacitors 16V 2312 (6032 Metric) 1.5 Ohm 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) | TAJW336K016RNJ.pdf | |
![]() | ERJ-S1TF2943U | RES SMD 294K OHM 1% 1W 2512 | ERJ-S1TF2943U.pdf | |
![]() | AD6633BBC | AD6633BBC AD BGA | AD6633BBC.pdf | |
![]() | 10CE22BE | 10CE22BE SANYO SMD | 10CE22BE.pdf | |
![]() | S-43405 | S-43405 ORIGINAL SMD or Through Hole | S-43405.pdf | |
![]() | MR27V802F-01GMAZ03A | MR27V802F-01GMAZ03A NEC TSOP48 | MR27V802F-01GMAZ03A.pdf | |
![]() | 28F800C3TD70 | 28F800C3TD70 INTEL BGA | 28F800C3TD70.pdf | |
![]() | V610CE1V8 | V610CE1V8 OCTASIC BGA | V610CE1V8.pdf | |
![]() | MG86EM1 | MG86EM1 TOSHIBA MK | MG86EM1.pdf | |
![]() | T3BAR | T3BAR NETD SMD or Through Hole | T3BAR.pdf |