Toshiba Semiconductor and Storage CUS10S30,H3F
- 제조업체 부품 번호
- CUS10S30,H3F
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- 다이오드, 정류기 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE SCHOTTKY 30V 1A USC
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CUS10S30,H3F 가격 및 조달
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8550 조각
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제조업체 표준 리드 타임: 6 주
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CUS10S30,H3F 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-CUS10S30,H3F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CUS10S30 | |
| 주요제품 | Toshiba - Schottky Barrier Diodes | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 30V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 1A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 230mV @ 100mA | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500µA @ 30V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | 135pF @ 0V, 1MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-76, SOD-323 | |
| 공급 장치 패키지 | USC | |
| 작동 온도 - 접합 | 125°C(최대) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | CUS10S30,H3F(B CUS10S30,H3F(T CUS10S30H3FTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CUS10S30,H3F | |
| 관련 링크 | CUS10S3, CUS10S30,H3F 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
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