창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CTS05S30,L3F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CTS05S30 | |
주요제품 | Toshiba - Schottky Barrier Diodes | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 30V | |
전류 -평균 정류(Io) | 500mA | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 340mV @ 100mA | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 150µA @ 10V | |
정전 용량 @ Vr, F | 55pF @ 0V, 1MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-882 | |
공급 장치 패키지 | CST2 | |
작동 온도 - 접합 | 125°C(최대) | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | CTS05S30,L3F(B CTS05S30,L3F(T CTS05S30L3FTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CTS05S30,L3F | |
관련 링크 | CTS05S3, CTS05S30,L3F 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | RCH855NP-102K | 1mH Unshielded Wirewound Inductor 120mA 5.28 Ohm Max Radial | RCH855NP-102K.pdf | |
![]() | ERJ-1TNF2403U | RES SMD 240K OHM 1% 1W 2512 | ERJ-1TNF2403U.pdf | |
![]() | MGA-31389-BLKG | RF Amplifier IC General Purpose 50MHz ~ 2GHz SOT-89-3 | MGA-31389-BLKG.pdf | |
![]() | IRFD321 | IRFD321 IR DIP4 | IRFD321.pdf | |
![]() | H-8-4-SMA | H-8-4-SMA M/A-COM ROHS | H-8-4-SMA.pdf | |
![]() | S87C654-5B | S87C654-5B PHILIPS QFP44 | S87C654-5B.pdf | |
![]() | ICB-203-S8A-T | ICB-203-S8A-T ROBINSONNUGENT SMD or Through Hole | ICB-203-S8A-T.pdf | |
![]() | SH16B12U | SH16B12U TOSHIBA SMD or Through Hole | SH16B12U.pdf | |
![]() | 00 6200 5132 30 000 | 00 6200 5132 30 000 KYOCERA SMD or Through Hole | 00 6200 5132 30 000.pdf | |
![]() | ECUV1H153MBV | ECUV1H153MBV PAN SMD or Through Hole | ECUV1H153MBV.pdf | |
![]() | PLT4S-C | PLT4S-C panduit SMD or Through Hole | PLT4S-C.pdf | |
![]() | SG1C228M12025 | SG1C228M12025 SAMWH DIP | SG1C228M12025.pdf |