창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CTLDM3590 TR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CTLDM3590 | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Declaration of Compliance | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Central Semiconductor Corp | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 160mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 100mA, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.46nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 125mW | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 3-XFDFN | |
| 공급 장치 패키지 | TLM3D6D8 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | CTLDM3590 TR LEAD FREE | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CTLDM3590 TR | |
| 관련 링크 | CTLDM35, CTLDM3590 TR 데이터 시트, Central Semiconductor Corp 에이전트 유통 | |
![]() | RM 10B | DIODE GEN PURP 800V 1.2A AXIAL | RM 10B.pdf | |
![]() | 1SMA5941BT3G | DIODE ZENER 47V 1.5W SMA | 1SMA5941BT3G.pdf | |
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![]() | CRCW060346R4FKTC | RES SMD 46.4 OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW060346R4FKTC.pdf | |
![]() | TC74HC139A | TC74HC139A TOSHIBA SOP | TC74HC139A.pdf | |
![]() | STL150N3 | STL150N3 ST 3.9mm | STL150N3.pdf | |
![]() | XC2V3000-4BGG728C | XC2V3000-4BGG728C XILINX BGA | XC2V3000-4BGG728C.pdf | |
![]() | RLF12560T-5R6N9R2-H | RLF12560T-5R6N9R2-H TDK SMD | RLF12560T-5R6N9R2-H.pdf | |
![]() | LT1011ACN8#PBF | LT1011ACN8#PBF LT SMD or Through Hole | LT1011ACN8#PBF.pdf | |
![]() | 75S20036A250BR | 75S20036A250BR IDT SMD or Through Hole | 75S20036A250BR.pdf | |
![]() | IT8892BE-N | IT8892BE-N IT QFP | IT8892BE-N.pdf | |
![]() | 1H105JL3ECQV | 1H105JL3ECQV N/A SMD or Through Hole | 1H105JL3ECQV.pdf |