창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD87501L | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CSD87501L | |
제조업체 제품 페이지 | CSD87501L Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N 채널(이중) 공통 드레인 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | - | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 10-XFBGA | |
공급 장치 패키지 | 10-Picostar(3.37x1.47) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 296-40013-2 CSD87501L-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CSD87501L | |
관련 링크 | CSD87, CSD87501L 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 |
![]() | 08051J0R3BBTTR | 0.30pF Thin Film Capacitor 100V 0805 (2012 Metric) 0.079" L x 0.050" W (2.01mm x 1.27mm) | 08051J0R3BBTTR.pdf | |
![]() | IPA65R1K5CEXKSA1 | MOSFET N-CH 650V TO220-3 | IPA65R1K5CEXKSA1.pdf | |
![]() | RT1206CRB071K27L | RES SMD 1.27KOHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRB071K27L.pdf | |
![]() | Y145410R0000Q0L | RES 10 OHM 0.6W 0.02% RADIAL | Y145410R0000Q0L.pdf | |
![]() | M6372-102 | M6372-102 OKI DIP | M6372-102.pdf | |
![]() | 8485ECB | 8485ECB INTERSIL SOP8 | 8485ECB.pdf | |
![]() | PHILIPS-13138V-480V6000W | PHILIPS-13138V-480V6000W PHILIPS SMD or Through Hole | PHILIPS-13138V-480V6000W.pdf | |
![]() | GRM1552C1H4R1BZ01J | GRM1552C1H4R1BZ01J MURATA SMD | GRM1552C1H4R1BZ01J.pdf | |
![]() | G6S2FTR5DC | G6S2FTR5DC OMRON SMD or Through Hole | G6S2FTR5DC.pdf | |
![]() | ESMH201VSN271MP25S | ESMH201VSN271MP25S NIPPON DIP | ESMH201VSN271MP25S.pdf |