창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD87355Q5DT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CSD87355Q5D Datasheet | |
| 제조업체 제품 페이지 | CSD87355Q5DT Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N 채널(이중) 비대칭 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 45A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.9V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 13.7nC @ 4.5V | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1860pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 2.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 155°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-PowerLDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-LSON(5x6) | |
| 표준 포장 | 250 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CSD87355Q5DT | |
| 관련 링크 | CSD8735, CSD87355Q5DT 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
![]() | RK73H1JTTD1272F | RK73H1JTTD1272F KOA SMD or Through Hole | RK73H1JTTD1272F.pdf | |
![]() | MAX291CPA | MAX291CPA MAXIM DIP | MAX291CPA.pdf | |
![]() | MG1630 | MG1630 MG DIP | MG1630.pdf | |
![]() | LC0603M104MANAT | LC0603M104MANAT SPE SMD | LC0603M104MANAT.pdf | |
![]() | AAT1275ITP-5.0-T1 | AAT1275ITP-5.0-T1 AnalogicTech TSOPJW-12 | AAT1275ITP-5.0-T1.pdf | |
![]() | MAZS0270 | MAZS0270 PANASONIC SMD or Through Hole | MAZS0270.pdf | |
![]() | B43504E2827M000 | B43504E2827M000 EPCOS SMD | B43504E2827M000.pdf | |
![]() | CSG8362R8PD | CSG8362R8PD N/A SMD or Through Hole | CSG8362R8PD.pdf | |
![]() | HZM6.2ZWATR TEL:82 | HZM6.2ZWATR TEL:82 HITACHI SOT23-5 | HZM6.2ZWATR TEL:82.pdf | |
![]() | SAH-C164C1-8EM | SAH-C164C1-8EM INFINEON QFP-80 | SAH-C164C1-8EM.pdf | |
![]() | STM1061N41WX6F | STM1061N41WX6F ST SOT23-3 | STM1061N41WX6F.pdf | |
![]() | GST2W470M1840 | GST2W470M1840 UNICON SMD or Through Hole | GST2W470M1840.pdf |