창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD87355Q5D | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CSD87355Q5D Datasheet | |
| 제조업체 제품 페이지 | CSD87355Q5D Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N 채널(이중) 비대칭 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.9V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 13.7nC @ 4.5V | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1860pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 12W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | * | |
| 패키지/케이스 | 8-PowerLDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-LSON(5x6) | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 296-44041-2 CSD87355Q5D-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CSD87355Q5D | |
| 관련 링크 | CSD873, CSD87355Q5D 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
![]() | 2727-13J | 100µH Unshielded Toroidal Inductor 140mA 9.7 Ohm Max Radial | 2727-13J.pdf | |
![]() | RT0603CRE0732R4L | RES SMD 32.4OHM 0.25% 1/10W 0603 | RT0603CRE0732R4L.pdf | |
![]() | 100N10NS | 100N10NS INFINEON PGA8 | 100N10NS.pdf | |
![]() | PC4136N | PC4136N XR DIP14 | PC4136N.pdf | |
![]() | PF38F5080M0Y0C0ES | PF38F5080M0Y0C0ES INTEL BGA | PF38F5080M0Y0C0ES.pdf | |
![]() | CDRO1BP330BKUMJAN | CDRO1BP330BKUMJAN KEMET SMD or Through Hole | CDRO1BP330BKUMJAN.pdf | |
![]() | SIS965 A3 | SIS965 A3 SIS BGA | SIS965 A3.pdf | |
![]() | A-DF09PP/Z | A-DF09PP/Z ASSMANN SMD or Through Hole | A-DF09PP/Z.pdf | |
![]() | MACTSP | MACTSP SIDSA TQFP | MACTSP.pdf | |
![]() | SN74LV139APWG4 | SN74LV139APWG4 TI SMD or Through Hole | SN74LV139APWG4.pdf | |
![]() | X1G003821000600 | X1G003821000600 EPSON SMD or Through Hole | X1G003821000600.pdf |