창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD87351Q5D | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CSD87351Q5D | |
| 제품 교육 모듈 | NexFET MOSFET Technology | |
| 비디오 파일 | PowerStack™ Packaging Technology Overview | |
| PCN 설계/사양 | Qualification Revision A 01/Jul/2014 | |
| PCN 조립/원산지 | Qualification Wire Bond 27/May/2014 Assembly/Test Site Addition 10/Aug/2015 | |
| PCN 포장 | MSL1 Bubble Bag Conversion 24/Sep/2013 | |
| 제조업체 제품 페이지 | CSD87351Q5D Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 32A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.6m옴 @ 20A, 8V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7.7nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1255pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 12W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-PowerLDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-LSON(5x6) | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 296-28327-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CSD87351Q5D | |
| 관련 링크 | CSD873, CSD87351Q5D 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
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![]() | 402F36022IJR | 36MHz ±20ppm 수정 9pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F36022IJR.pdf | |
![]() | LNJ416Q8YRU | Amber LED Indication - Discrete 2V 1206 (3216 Metric) | LNJ416Q8YRU.pdf | |
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![]() | 4416P-1-204LF | 4416P-1-204LF BOURNS DIP | 4416P-1-204LF.pdf | |
![]() | HRF32 | HRF32 HITACHI SMA | HRF32.pdf | |
![]() | LTC2803CDHC#TRPBF | LTC2803CDHC#TRPBF LT QFN16 | LTC2803CDHC#TRPBF.pdf | |
![]() | 74VHC374SJ | 74VHC374SJ NATIONALSEMICONDUCTOR NA | 74VHC374SJ.pdf | |
![]() | K4S281632B-NC1L | K4S281632B-NC1L SAM TSOP54 | K4S281632B-NC1L.pdf | |
![]() | BMB-2A-0030P-N1 | BMB-2A-0030P-N1 TYCO SMD | BMB-2A-0030P-N1.pdf |