창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD87350Q5D | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CSD87350Q5D | |
제품 교육 모듈 | NexFET MOSFET Technology | |
비디오 파일 | PowerStack™ Packaging Technology Overview | |
PCN 설계/사양 | Qualification Revision A 01/Jul/2014 | |
PCN 조립/원산지 | Qualification Wire Bond 27/May/2014 Assembly/Test Site Transfer 19/Dec/2014 | |
PCN 포장 | MSL1 Bubble Bag Conversion 24/Sep/2013 | |
제조업체 제품 페이지 | CSD87350Q5D Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.9m옴 @ 20A, 8V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10.9nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1770pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 12W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-PowerLDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-LSON(5x6) | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 296-28318-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CSD87350Q5D | |
관련 링크 | CSD873, CSD87350Q5D 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 |
1.5SMC12AT3G | TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC SMC | 1.5SMC12AT3G.pdf | ||
SIT8918BA-23-33E-8.1920E | OSC XO 3.3V 8.192MHZ OE | SIT8918BA-23-33E-8.1920E.pdf | ||
315LB3C1250T | 125MHz HCMOS VCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 30mA Enable/Disable | 315LB3C1250T.pdf | ||
ERA-8ARW2371V | RES SMD 2.37KOHM 0.05% 1/4W 1206 | ERA-8ARW2371V.pdf | ||
HIT8550C-E-Q | HIT8550C-E-Q HITACHI/RENESAS SMD or Through Hole | HIT8550C-E-Q.pdf | ||
dt7188s25p | dt7188s25p dt dip | dt7188s25p.pdf | ||
MAX697CWE+T | MAX697CWE+T MAXIM SOP16 | MAX697CWE+T.pdf | ||
KA378R51 | KA378R51 SEC/F TO-220-4 | KA378R51.pdf | ||
CL150GCD | CL150GCD ORIGINAL SMD or Through Hole | CL150GCD.pdf | ||
CD43/4.7UH | CD43/4.7UH ORIGINAL SMD or Through Hole | CD43/4.7UH.pdf |