홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 어레이 » CSD87334Q3D

Texas Instruments CSD87334Q3D

CSD87334Q3D
제조업체 부품 번호
CSD87334Q3D
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON
데이터 시트 다운로드
다운로드
CSD87334Q3D 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 764.48040
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 CSD87334Q3D 재고가 있습니다. 우리는 Texas Instruments 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Texas Instruments 전자 부품 전문. CSD87334Q3D 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. CSD87334Q3D가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
CSD87334Q3D 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
CSD87334Q3D 매개 변수
내부 부품 번호EIS-CSD87334Q3D
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서CSD87334Q3D Datasheet
제조업체 제품 페이지CSD87334Q3D Specifications
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Texas Instruments
계열NexFET™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 N 채널(이중) 비대칭
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C20A
Rds On(최대) @ Id, Vgs6m옴 @ 12A, 8V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1.2V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs8.3nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1260pF @ 15V
전력 - 최대6W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력TDFN
공급 장치 패키지8-VSON(3.3x3.3)
표준 포장 2,500
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)CSD87334Q3D
관련 링크CSD873, CSD87334Q3D 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통
CSD87334Q3D 의 관련 제품
0.15µF 16V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) EMK212B7154KG-T.pdf
22µH Shielded Wirewound Inductor 12A 10.65 mOhm Nonstandard 7443632200.pdf
RES SMD 12K OHM 5% 1/8W 0805 RMCF0805JG12K0.pdf
ftr30.18ul mar SMD or Through Hole ftr30.18ul.pdf
TDA702D PHI SOP-8 TDA702D.pdf
LLZJ5.6A ORIGINAL SMD or Through Hole LLZJ5.6A.pdf
BA028LBSG-TR TEL:82766440 ROHM SMD or Through Hole BA028LBSG-TR TEL:82766440.pdf
1206Y0500474KXT SYFER SMD 1206Y0500474KXT.pdf
TD34063AD TECHCODE SOP TD34063AD.pdf
CS0603-R12K-S YAGEO SMD CS0603-R12K-S.pdf
KSPA04-N OTAX DIP-8 KSPA04-N.pdf