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Texas Instruments CSD85312Q3E

CSD85312Q3E
제조업체 부품 번호
CSD85312Q3E
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
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내부 부품 번호EIS-CSD85312Q3E
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서CSD85312Q3E
제조업체 제품 페이지CSD85312Q3E Specifications
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Texas Instruments
계열NexFET™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2N 채널(이중) 공통 소스
FET 특징논리 레벨 게이트, 5V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C39A
Rds On(최대) @ Id, Vgs12.4m옴 @ 10A, 8V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1.4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs15.2nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2390pF @ 10V
전력 - 최대2.5W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력VDFN
공급 장치 패키지8-VSON(3.3x3.3)
표준 포장 2,500
다른 이름CSD85312Q3E-ND
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)CSD85312Q3E
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