창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD85312Q3E | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CSD85312Q3E | |
| 제조업체 제품 페이지 | CSD85312Q3E Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2N 채널(이중) 공통 소스 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 39A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12.4m옴 @ 10A, 8V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15.2nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2390pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-VSON(3.3x3.3) | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | CSD85312Q3E-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CSD85312Q3E | |
| 관련 링크 | CSD853, CSD85312Q3E 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
![]() | LPS254-CF | AC/DC CONVERTER 15V 250W | LPS254-CF.pdf | |
![]() | CMF55750K00CHEB | RES 750K OHM 1/2W .25% AXIAL | CMF55750K00CHEB.pdf | |
![]() | PHABZV55-C9V1.115 | PHABZV55-C9V1.115 ORIGINAL SMD or Through Hole | PHABZV55-C9V1.115.pdf | |
![]() | BU72435AKV | BU72435AKV ROHM QFP64 | BU72435AKV.pdf | |
![]() | 7W08000004 | 7W08000004 TXC SMD or Through Hole | 7W08000004.pdf | |
![]() | G690L400T96UF | G690L400T96UF GMT SC70-3 | G690L400T96UF.pdf | |
![]() | IRFBC40PBFIR | IRFBC40PBFIR IR TO220 | IRFBC40PBFIR.pdf | |
![]() | IXGH28N120B | IXGH28N120B IXYS SMD or Through Hole | IXGH28N120B.pdf | |
![]() | RTC6647 | RTC6647 RICHWAVE QFN | RTC6647.pdf | |
![]() | SN65HVD37D | SN65HVD37D TI SOP14 | SN65HVD37D.pdf | |
![]() | ATA2526S738C-DDW | ATA2526S738C-DDW AtmelSemiconducto SMD or Through Hole | ATA2526S738C-DDW.pdf | |
![]() | R-IR-RK14K1220-200KL(BULK) | R-IR-RK14K1220-200KL(BULK) IR SMD or Through Hole | R-IR-RK14K1220-200KL(BULK).pdf |