창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD85302L | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CSD85302L Datasheet | |
제조업체 제품 페이지 | CSD85302L Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N 채널(이중) 공통 드레인 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | - | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7.8nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 1.7W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 4-XFLGA | |
공급 장치 패키지 | 4-Picostar(1.31x1.31) | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CSD85302L | |
관련 링크 | CSD85, CSD85302L 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 |
![]() | IHSM4825EB1R8L | 1.8µH Unshielded Inductor 6.5A 21 mOhm Max Nonstandard | IHSM4825EB1R8L.pdf | |
![]() | FVTS10R1E10R00JE | RES CHAS MNT 10 OHM 5% 12W | FVTS10R1E10R00JE.pdf | |
![]() | AME5138AEEVADJY | AME5138AEEVADJY ANALOGIC TSOT23-5 | AME5138AEEVADJY.pdf | |
![]() | KXO-HC1-TSE-4.9152MHZ | KXO-HC1-TSE-4.9152MHZ KYOCERA SMD or Through Hole | KXO-HC1-TSE-4.9152MHZ.pdf | |
![]() | JCS2N60C | JCS2N60C ORIGINAL TO220 | JCS2N60C.pdf | |
![]() | BYV2135 | BYV2135 PH DO-4 | BYV2135.pdf | |
![]() | E3S-R | E3S-R VISHAY SMD or Through Hole | E3S-R.pdf | |
![]() | R6695-11 | R6695-11 ORIGINAL PLCC-68 | R6695-11.pdf | |
![]() | RN1111MFV | RN1111MFV TOSHIBA SOT723 | RN1111MFV.pdf | |
![]() | 4PIN2X1LEAD | 4PIN2X1LEAD ORIGINAL SMD or Through Hole | 4PIN2X1LEAD.pdf | |
![]() | CRS0805-47MJ-R | CRS0805-47MJ-R BREL SMD or Through Hole | CRS0805-47MJ-R.pdf | |
![]() | PIC16F76-E/SS | PIC16F76-E/SS MICROCHI TSSOP | PIC16F76-E/SS.pdf |