창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD25404Q3T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 면제 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CSD25404Q3 Datasheet | |
| 제조업체 제품 페이지 | CSD25404Q3T Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 104A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.5m옴 @ 10A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.15V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14.1nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2120pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 2.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | * | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-VSON(3.3x3.3) | |
| 표준 포장 | 250 | |
| 다른 이름 | 296-43210-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CSD25404Q3T | |
| 관련 링크 | CSD254, CSD25404Q3T 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
![]() | RT1206DRD078K87L | RES SMD 8.87K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RT1206DRD078K87L.pdf | |
![]() | CRCW12067K68FKEB | RES SMD 7.68K OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW12067K68FKEB.pdf | |
![]() | 0603CG331J9B200 | 0603CG331J9B200 PHILIPS SMD | 0603CG331J9B200.pdf | |
![]() | UC2901D. | UC2901D. TI/BB SMD or Through Hole | UC2901D..pdf | |
![]() | TL33074DW | TL33074DW TIS Call | TL33074DW.pdf | |
![]() | UVZ2D2R2MPD1TD | UVZ2D2R2MPD1TD NICHICON DIP | UVZ2D2R2MPD1TD.pdf | |
![]() | MW6920 | MW6920 DENSO QFP | MW6920.pdf | |
![]() | FM24C02A | FM24C02A FMI SOP8 | FM24C02A.pdf | |
![]() | JX1N5828 | JX1N5828 MSC DO-4 | JX1N5828.pdf | |
![]() | QMV65BC1 | QMV65BC1 NORTEL CDIP22 | QMV65BC1.pdf | |
![]() | PE65389NL | PE65389NL PULSE DIP6 | PE65389NL.pdf | |
![]() | WT82933ADB-B0011 | WT82933ADB-B0011 SAMSUNG DIP40 | WT82933ADB-B0011.pdf |