창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD25404Q3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CSD25404Q3 Datasheet | |
| 제조업체 제품 페이지 | CSD25404Q3 Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 104A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.5m옴 @ 10A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.15V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14.1nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2120pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 2.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | * | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-VSON(3.3x3.3) | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CSD25404Q3 | |
| 관련 링크 | CSD254, CSD25404Q3 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
![]() | FXO-HC738-24.576 | 24.576MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 35mA Enable/Disable | FXO-HC738-24.576.pdf | |
![]() | MCR10ERTF3480 | RES SMD 348 OHM 1% 1/8W 0805 | MCR10ERTF3480.pdf | |
![]() | CRCW0201348RFKED | RES SMD 348 OHM 1% 1/20W 0201 | CRCW0201348RFKED.pdf | |
![]() | P51-300-G-Z-MD-5V-000-000 | Pressure Sensor 300 PSI (2068.43 kPa) Vented Gauge Male - 1/4" (6.35mm) NPT 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-300-G-Z-MD-5V-000-000.pdf | |
![]() | C32726 | C32726 NEC BGA | C32726.pdf | |
![]() | 592D476X0016T2T | 592D476X0016T2T VISHAY SMD or Through Hole | 592D476X0016T2T.pdf | |
![]() | PK-10V103MK8 | PK-10V103MK8 ELNA DIP | PK-10V103MK8.pdf | |
![]() | HCYB2G471KAA | HCYB2G471KAA SAMSUNG SMD or Through Hole | HCYB2G471KAA.pdf | |
![]() | BPR | BPR TI QFN-16 | BPR.pdf | |
![]() | 7000-58241-6270150 | 7000-58241-6270150 MURR SMD or Through Hole | 7000-58241-6270150.pdf | |
![]() | LM311JGB | LM311JGB TI CDIP8 | LM311JGB.pdf | |
![]() | LP38842SX-1.5 | LP38842SX-1.5 NS TO-263 | LP38842SX-1.5.pdf |