창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD25304W1015 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CSD25304W1015 | |
| 제조업체 제품 페이지 | CSD25304W1015 Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 32.5m옴 @ 1.5A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.15V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4,4nC(4,5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 595pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 750mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-UFBGA, DSBGA | |
| 공급 장치 패키지 | 6-DSBGA | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 296-40005-2 CSD25304W1015-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CSD25304W1015 | |
| 관련 링크 | CSD2530, CSD25304W1015 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
![]() | 12065C503JAT2A | 0.05µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 12065C503JAT2A.pdf | |
![]() | RT0402FRE07536RL | RES SMD 536 OHM 1% 1/16W 0402 | RT0402FRE07536RL.pdf | |
![]() | LSN-3.8/10-D5 | LSN-3.8/10-D5 DATEL SMD or Through Hole | LSN-3.8/10-D5.pdf | |
![]() | ADD431 | ADD431 ORIGINAL TO-92 | ADD431.pdf | |
![]() | 3DG103B | 3DG103B CHINA SMD or Through Hole | 3DG103B.pdf | |
![]() | HZM8.2NB3 | HZM8.2NB3 HITACHI SMD or Through Hole | HZM8.2NB3.pdf | |
![]() | PTVS6V5S1UR.115 | PTVS6V5S1UR.115 NXP SMD or Through Hole | PTVS6V5S1UR.115.pdf | |
![]() | MMA1270EG | MMA1270EG FREESCALE SMD or Through Hole | MMA1270EG.pdf | |
![]() | HY5DU113222FMP-33 | HY5DU113222FMP-33 HYNIX BGA | HY5DU113222FMP-33.pdf | |
![]() | TX1325 | TX1325 PULSE SMD | TX1325.pdf | |
![]() | AD8051ARTZ-RL7_ | AD8051ARTZ-RL7_ AD SOT23-5 | AD8051ARTZ-RL7_.pdf |