창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD25213W10 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CSD25213W10 | |
PCN 설계/사양 | DSBGA/uSIP 22/Jun/2016 | |
제조업체 제품 페이지 | CSD25213W10 Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.6A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 47m옴 @ 1A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2.9nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 478pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 4-UFBGA, DSBGA | |
공급 장치 패키지 | 4-DSBGA(1x1) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 296-40004-2 CSD25213W10-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CSD25213W10 | |
관련 링크 | CSD252, CSD25213W10 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 |
![]() | MKP1837322164W | 0.022µF Film Capacitor 100V 160V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.295" L x 0.217" W (7.50mm x 5.50mm) | MKP1837322164W.pdf | |
![]() | RC1206FR-071M43L | RES SMD 1.43M OHM 1% 1/4W 1206 | RC1206FR-071M43L.pdf | |
![]() | 54FCT244LMQB/C | 54FCT244LMQB/C NS LCC | 54FCT244LMQB/C.pdf | |
![]() | SS310 B | SS310 B TOS SMBDO-214AA | SS310 B.pdf | |
![]() | 15KE170A | 15KE170A VISHAY/RECTRON DO201-AE | 15KE170A.pdf | |
![]() | MP654 | MP654 DENSO DIP28 | MP654.pdf | |
![]() | SAFEF942MAL0F00R1S | SAFEF942MAL0F00R1S N/A SMD or Through Hole | SAFEF942MAL0F00R1S.pdf | |
![]() | RBV2510 | RBV2510 SANKEN/EIC SMD or Through Hole | RBV2510.pdf | |
![]() | SAF165S2-1-05 | SAF165S2-1-05 ORIGINAL 1808 | SAF165S2-1-05.pdf | |
![]() | WP-90957L1(LS00) | WP-90957L1(LS00) MOT DIP | WP-90957L1(LS00).pdf | |
![]() | K5E1G12ACG | K5E1G12ACG SAMSUNG SMD or Through Hole | K5E1G12ACG.pdf | |
![]() | 0805 2.7K F | 0805 2.7K F TASUND SMD or Through Hole | 0805 2.7K F.pdf |