창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD25211W1015 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CSD25211W1015 | |
| PCN 설계/사양 | DSBGA/uSIP 22/Jun/2016 | |
| PCN 포장 | DSBGA-6L Carrier Tape Change 28/Oct/2013 | |
| 제조업체 제품 페이지 | CSD25211W1015 Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.2A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 33m옴 @ 1.5A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4.1nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 570pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-UFBGA, DSBGA | |
| 공급 장치 패키지 | 6-DSBGA(1x1.5) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 296-36578-2 CSD25211W1015-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CSD25211W1015 | |
| 관련 링크 | CSD2521, CSD25211W1015 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
![]() | CC1210KKX7RCBB472 | 4700pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | CC1210KKX7RCBB472.pdf | |
![]() | PC25030 | PC25030 Honeywell SMD or Through Hole | PC25030.pdf | |
![]() | LT3465AES6#TRF | LT3465AES6#TRF LINEAR SOT163 | LT3465AES6#TRF.pdf | |
![]() | ROP1011193/1 R1A | ROP1011193/1 R1A N/A TQFP-48 | ROP1011193/1 R1A.pdf | |
![]() | GA75HS120K | GA75HS120K IR 75A1200VIGBT2U | GA75HS120K.pdf | |
![]() | MAX516CWG | MAX516CWG MAXIM SOP24 | MAX516CWG.pdf | |
![]() | MM5200 | MM5200 NS DIP | MM5200.pdf | |
![]() | BA9-B01(BLUE) | BA9-B01(BLUE) ORIGINAL SMD or Through Hole | BA9-B01(BLUE).pdf | |
![]() | D7PR31T1 | D7PR31T1 CUT-HAM SMD or Through Hole | D7PR31T1.pdf | |
![]() | EM638165TS-6G-- | EM638165TS-6G-- ETRON TSOP | EM638165TS-6G--.pdf | |
![]() | PPCSIP2X05725C | PPCSIP2X05725C N/A SMD or Through Hole | PPCSIP2X05725C.pdf |