창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD25211W1015 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CSD25211W1015 | |
PCN 설계/사양 | DSBGA/uSIP 22/Jun/2016 | |
PCN 포장 | DSBGA-6L Carrier Tape Change 28/Oct/2013 | |
제조업체 제품 페이지 | CSD25211W1015 Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.2A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 33m옴 @ 1.5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4.1nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 570pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-UFBGA, DSBGA | |
공급 장치 패키지 | 6-DSBGA(1x1.5) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 296-36578-2 CSD25211W1015-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CSD25211W1015 | |
관련 링크 | CSD2521, CSD25211W1015 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 |
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![]() | CX3225GB33333D0HEQCC | 33.333MHz ±20ppm 수정 8pF 50옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | CX3225GB33333D0HEQCC.pdf | |
![]() | RT2010DKE0786R6L | RES SMD 86.6 OHM 0.5% 1/2W 2010 | RT2010DKE0786R6L.pdf | |
![]() | TA205PA2K50J | RES 2.5K OHM 5W 5% RADIAL | TA205PA2K50J.pdf | |
![]() | 59070-1-T-04-C | Magnetic Reed Switch Magnet SPST-NO Wire Leads with Connector Cylinder, Threaded | 59070-1-T-04-C.pdf | |
![]() | E2GO2000-BIG | E2GO2000-BIG MX SOP | E2GO2000-BIG.pdf | |
![]() | T1V4B98C1 | T1V4B98C1 N/A SOP-8 | T1V4B98C1.pdf | |
![]() | BA5099B | BA5099B BEC DIP16 | BA5099B.pdf | |
![]() | AD8402AR1OO | AD8402AR1OO AD SOP-14 | AD8402AR1OO.pdf | |
![]() | LT1587CSX-ADJ | LT1587CSX-ADJ LT TO-263 | LT1587CSX-ADJ.pdf | |
![]() | SGM2030 | SGM2030 SGMIC DFN4L | SGM2030.pdf |