홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » CSD23203WT

Texas Instruments CSD23203WT

CSD23203WT
제조업체 부품 번호
CSD23203WT
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA
데이터 시트 다운로드
다운로드
CSD23203WT 가격 및 조달

가능 수량

9550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 216.21600
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 CSD23203WT 재고가 있습니다. 우리는 Texas Instruments 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Texas Instruments 전자 부품 전문. CSD23203WT 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. CSD23203WT가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
CSD23203WT 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
CSD23203WT 매개 변수
내부 부품 번호EIS-CSD23203WT
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서CSD23203W
PCN 설계/사양DSBGA/uSIP 22/Jun/2016
제조업체 제품 페이지CSD23203WT Specifications
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Texas Instruments
계열NexFET™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)8V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C3A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs19.4m옴 @ 1.5A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1.1V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs6.3nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds914pF @ 4V
전력 - 최대750mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-UFBGA, DSBGA
공급 장치 패키지6-DSBGA
표준 포장 250
다른 이름296-38615-2
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)CSD23203WT
관련 링크CSD232, CSD23203WT 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통
CSD23203WT 의 관련 제품
RES SMD 102K OHM 1% 1/2W 2010 RT2010FKE07102KL.pdf
RES SMD 12K OHM 0.01% 0.3W 1206 Y401512K0000T9W.pdf
M37421M6-341SP MITSUB DIP64 M37421M6-341SP.pdf
IDC-11016 Tyco con IDC-11016.pdf
150UR100DL IR SMD or Through Hole 150UR100DL.pdf
FW80306DB LUCENT SMD or Through Hole FW80306DB.pdf
XC95108-10PQG208C XILINX PQFP XC95108-10PQG208C.pdf
PL-P020 (Polarlights) SMD or Through Hole PL-P020.pdf
G957T65UF BENQ SOT223 G957T65UF.pdf
2SL6522CB ISL SSOP 2SL6522CB.pdf
R27V3202F-T9MAZ03B OKI SOP R27V3202F-T9MAZ03B.pdf
CY2278APAC CY TSSOP CY2278APAC.pdf