창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD23202W10 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CSD23202W10 | |
제조업체 제품 페이지 | CSD23202W10 Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.2A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 53m옴 @ 500mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 900mV @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 3.8nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 512pF @ 6V | |
전력 - 최대 | 1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 4-UFBGA, DSBGA | |
공급 장치 패키지 | 4-DSBGA(1x1) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 296-40000-2 CSD23202W10-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CSD23202W10 | |
관련 링크 | CSD232, CSD23202W10 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 |
![]() | FXO-LC738-300 | 300MHz LVDS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 100mA Enable/Disable | FXO-LC738-300.pdf | |
![]() | MLF2012A3R9KTD25 | 3.9µH Shielded Multilayer Inductor 30mA 650 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | MLF2012A3R9KTD25.pdf | |
![]() | PE-1008CM561KTT | 560nH Unshielded Wirewound Inductor 350mA 800 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | PE-1008CM561KTT.pdf | |
![]() | CV21X5R226K06AT | CV21X5R226K06AT Kyocera SMD or Through Hole | CV21X5R226K06AT.pdf | |
![]() | NSR0302MW2T3G | NSR0302MW2T3G ON SOD-323 | NSR0302MW2T3G.pdf | |
![]() | TPS79915DDCT. | TPS79915DDCT. TI SMD or Through Hole | TPS79915DDCT..pdf | |
![]() | BH76109HFV | BH76109HFV ROHM SMD or Through Hole | BH76109HFV.pdf | |
![]() | LMH6655M | LMH6655M ORIGINAL SMD or Through Hole | LMH6655M.pdf | |
![]() | NE522D-T | NE522D-T PHIL SOP14 | NE522D-T.pdf | |
![]() | B37872-K1104K60 | B37872-K1104K60 EPCOS SMD | B37872-K1104K60.pdf | |
![]() | TXC-4002-AIPL | TXC-4002-AIPL TRAN PLCC84 | TXC-4002-AIPL.pdf | |
![]() | LO901 | LO901 ORIGINAL QFP | LO901.pdf |