창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD23202W10 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CSD23202W10 | |
제조업체 제품 페이지 | CSD23202W10 Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.2A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 53m옴 @ 500mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 900mV @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 3.8nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 512pF @ 6V | |
전력 - 최대 | 1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 4-UFBGA, DSBGA | |
공급 장치 패키지 | 4-DSBGA(1x1) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 296-40000-2 CSD23202W10-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CSD23202W10 | |
관련 링크 | CSD232, CSD23202W10 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 |
![]() | Y149620K0000B0W | RES SMD 20K OHM 0.1% 0.15W 1206 | Y149620K0000B0W.pdf | |
![]() | BFR182T E6702 | BFR182T E6702 INFINEON 0Sot-523X3 | BFR182T E6702.pdf | |
![]() | M34300-234SP | M34300-234SP MIT DIP-42 | M34300-234SP.pdf | |
![]() | SP-KIT420 | SP-KIT420 ORIGINAL SMD or Through Hole | SP-KIT420.pdf | |
![]() | 944BI | 944BI ST TSSOP | 944BI.pdf | |
![]() | IDT71321SA55J8 | IDT71321SA55J8 IDT NA | IDT71321SA55J8.pdf | |
![]() | LTC1409CSW#PBF | LTC1409CSW#PBF Linear SO-28 | LTC1409CSW#PBF.pdf | |
![]() | IDT74FBT2827BSO | IDT74FBT2827BSO IDT SOP24 | IDT74FBT2827BSO.pdf | |
![]() | LVT22V107A | LVT22V107A PHI PLCC | LVT22V107A.pdf | |
![]() | LMS480K03 | LMS480K03 SAMSUNG SMD | LMS480K03.pdf | |
![]() | OISS518400A | OISS518400A ORIGINAL SMD or Through Hole | OISS518400A.pdf | |
![]() | E19/8/5-3C90-A250 | E19/8/5-3C90-A250 FERROX SMD or Through Hole | E19/8/5-3C90-A250.pdf |