창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD23202W10 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CSD23202W10 | |
| 제조업체 제품 페이지 | CSD23202W10 Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.2A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 53m옴 @ 500mA, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 900mV @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 3.8nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 512pF @ 6V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-UFBGA, DSBGA | |
| 공급 장치 패키지 | 4-DSBGA(1x1) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 296-40000-2 CSD23202W10-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CSD23202W10 | |
| 관련 링크 | CSD232, CSD23202W10 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
![]() | CR1206-FX-5490ELF | RES SMD 549 OHM 1% 1/4W 1206 | CR1206-FX-5490ELF.pdf | |
![]() | TNPW0603152RBEEA | RES SMD 152 OHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW0603152RBEEA.pdf | |
![]() | CMF556K0400DHEK | RES 6.04K OHM 1/2W .5% AXIAL | CMF556K0400DHEK.pdf | |
![]() | 47UF6.3V B | 47UF6.3V B AVX/KEMET/NEC/NICHCON SMD or Through Hole | 47UF6.3V B.pdf | |
![]() | PSB21493HV1.7 | PSB21493HV1.7 Infineon QFP | PSB21493HV1.7.pdf | |
![]() | CPT12C4 | CPT12C4 TDK SMD or Through Hole | CPT12C4.pdf | |
![]() | MB91FV310A | MB91FV310A FUJI TQFP14 | MB91FV310A.pdf | |
![]() | SFELB10M7GK0S01-B0 | SFELB10M7GK0S01-B0 MURATA SMD | SFELB10M7GK0S01-B0.pdf | |
![]() | 2EEA44285.2 | 2EEA44285.2 O QFP | 2EEA44285.2.pdf | |
![]() | BUK7909-75ATE | BUK7909-75ATE PH SOT263BTO-220AB | BUK7909-75ATE.pdf | |
![]() | CGC7324-A20JCT | CGC7324-A20JCT ORIGINAL PLCC | CGC7324-A20JCT.pdf | |
![]() | JS3-00101000-30-10P | JS3-00101000-30-10P MITEQ SMD or Through Hole | JS3-00101000-30-10P.pdf |