창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD19538Q3AT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CSD19538Q3A Datasheet | |
| 애플리케이션 노트 | Ringing Reduction Techniques for MOSFETS | |
| 제조업체 제품 페이지 | CSD19538Q3AT Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 신제품 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 59m옴 @ 5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.8V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4.3nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 454pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 2.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-VSONP(3x3.15) | |
| 표준 포장 | 250 | |
| 다른 이름 | 296-44473-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CSD19538Q3AT | |
| 관련 링크 | CSD1953, CSD19538Q3AT 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
![]() | 20KPA160C | TVS DIODE 160VWM 270.9VC AXIAL | 20KPA160C.pdf | |
![]() | LTP-3789G | LTP-3789G LITEON DIP | LTP-3789G.pdf | |
![]() | TFK88626 | TFK88626 N/A SOP | TFK88626.pdf | |
![]() | 2SD647 | 2SD647 ORIGINAL TO-92L | 2SD647.pdf | |
![]() | 10125NA | 10125NA S DIP | 10125NA.pdf | |
![]() | A1448N | A1448N ORIGINAL TSSOP-16 | A1448N.pdf | |
![]() | KPA3010IT | KPA3010IT KINGBRIG SMD or Through Hole | KPA3010IT.pdf | |
![]() | 3-794618-4 | 3-794618-4 TYCO SMD or Through Hole | 3-794618-4.pdf | |
![]() | QM8253D1 | QM8253D1 INTEL DIP | QM8253D1.pdf | |
![]() | CY8C21003-24PVXI | CY8C21003-24PVXI CY SOP-28L | CY8C21003-24PVXI.pdf | |
![]() | EDL1216BB-10-E | EDL1216BB-10-E ELPIDA FBGA | EDL1216BB-10-E.pdf | |
![]() | 2SK118-R(F) | 2SK118-R(F) TOSHIBA SMD or Through Hole | 2SK118-R(F).pdf |