창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD19537Q3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 면제 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CSD19537Q3 | |
애플리케이션 노트 | Ringing Reduction Techniques for MOSFETS | |
주요제품 | CSD19537Q3 NexFET™ Power MOSFET | |
제조업체 제품 페이지 | CSD19537Q3 Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14.5m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.6V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 21nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1680pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 2.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-VSON(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 296-44351-2 CSD19537Q3-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CSD19537Q3 | |
관련 링크 | CSD195, CSD19537Q3 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 |
K273K15X7RF5TL2 | 0.027µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | K273K15X7RF5TL2.pdf | ||
AMS22S5A1BHAFL127 | ROTARY NON-CONTACT ANALOG SENSOR | AMS22S5A1BHAFL127.pdf | ||
A323S1YZQ | A323S1YZQ ORIGINAL 2011 | A323S1YZQ.pdf | ||
TS431ACX. | TS431ACX. TSC SOT23-3 | TS431ACX..pdf | ||
HIP6301 | HIP6301 HARRIS SMD | HIP6301.pdf | ||
C0402X7R1A681K | C0402X7R1A681K TDK SMD | C0402X7R1A681K.pdf | ||
SFH610-4SMTR | SFH610-4SMTR Isocom SMD or Through Hole | SFH610-4SMTR.pdf | ||
MC68450RICIC87P | MC68450RICIC87P MOTOROLA CDIP | MC68450RICIC87P.pdf | ||
X27163A | X27163A SHARP DIP | X27163A.pdf | ||
EVALSPEAR600 | EVALSPEAR600 ST SMD or Through Hole | EVALSPEAR600.pdf | ||
2SC5344 FAO | 2SC5344 FAO ZTJ SOT-23 | 2SC5344 FAO.pdf | ||
3SK191NI | 3SK191NI HITACHI SOT-143 | 3SK191NI.pdf |