창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD19537Q3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 면제 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CSD19537Q3 | |
| 애플리케이션 노트 | Ringing Reduction Techniques for MOSFETS | |
| 주요제품 | CSD19537Q3 NexFET™ Power MOSFET | |
| 제조업체 제품 페이지 | CSD19537Q3 Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14.5m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.6V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 21nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1680pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 2.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-VSON(3.3x3.3) | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 296-44351-2 CSD19537Q3-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CSD19537Q3 | |
| 관련 링크 | CSD195, CSD19537Q3 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
![]() | H419K1BDA | RES 19.1K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H419K1BDA.pdf | |
![]() | CMM21T-161M-S | CMM21T-161M-S CHILIS O805 | CMM21T-161M-S.pdf | |
![]() | ALA2F12-12V | ALA2F12-12V NAIS/ SMD or Through Hole | ALA2F12-12V.pdf | |
![]() | PCK2010RA | PCK2010RA PHILIPS SSOP-56 | PCK2010RA.pdf | |
![]() | MIC5205-36BM5 | MIC5205-36BM5 MIC SOT-153-T | MIC5205-36BM5.pdf | |
![]() | MKHB29MQ-02 351-5756-010 | MKHB29MQ-02 351-5756-010 ST PLCC68 | MKHB29MQ-02 351-5756-010.pdf | |
![]() | M29F400BT/BB | M29F400BT/BB ST TSOP | M29F400BT/BB.pdf | |
![]() | 2042B | 2042B TI TSOP-8 | 2042B.pdf | |
![]() | C1933B-3/L280 | C1933B-3/L280 ORIGINAL SMD or Through Hole | C1933B-3/L280.pdf | |
![]() | 1008CT-400XJLC | 1008CT-400XJLC COILCRAFT SMD or Through Hole | 1008CT-400XJLC.pdf | |
![]() | MB68B40S | MB68B40S MOT CDIP28 | MB68B40S.pdf | |
![]() | AP970 | AP970 APPOINTED Soic8 | AP970.pdf |