창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD19536KTT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 2(1년) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CSD19536KTT | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 200A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.4m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 153nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 12000pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 375W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-4, D²Pak(3리드(lead)+탭), TO-263AA | |
| 공급 장치 패키지 | DDPAK/TO-263-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CSD19536KTT | |
| 관련 링크 | CSD195, CSD19536KTT 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
![]() | AD6673-250EBZ | BOARD EVAL FOR AD6673 | AD6673-250EBZ.pdf | |
![]() | ADSST1803JRUZ-REEL | ADSST1803JRUZ-REEL ANALOG SMD or Through Hole | ADSST1803JRUZ-REEL.pdf | |
![]() | TA1241ANG | TA1241ANG TOS DIP | TA1241ANG.pdf | |
![]() | NW154 | NW154 ORIGINAL BGA | NW154.pdf | |
![]() | ATA1091/ATA1191 | ATA1091/ATA1191 ATA DIP | ATA1091/ATA1191.pdf | |
![]() | RS1J5AT | RS1J5AT gs SMD or Through Hole | RS1J5AT.pdf | |
![]() | MS241CS30S | MS241CS30S LUCENT SMD | MS241CS30S.pdf | |
![]() | QS34X245Q03 | QS34X245Q03 QS SOP | QS34X245Q03.pdf | |
![]() | T224162B-35S (83MHZ) | T224162B-35S (83MHZ) TM TSOP-40 | T224162B-35S (83MHZ).pdf | |
![]() | AT23C01 | AT23C01 ORIGINAL DIPSMD | AT23C01.pdf | |
![]() | 1-178288-7 | 1-178288-7 AMP SMD or Through Hole | 1-178288-7.pdf | |
![]() | MBRM120LT1G TEL:82766440 | MBRM120LT1G TEL:82766440 ON SMD or Through Hole | MBRM120LT1G TEL:82766440.pdf |