창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD19535KCS | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CSD19535KCS | |
| PCN 조립/원산지 | TO220 Pkg Qualification Add Assembly & Test Site 30/Oct/2015 | |
| 제조업체 제품 페이지 | CSD19535KCS Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 150A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.6m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 101nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7930pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 296-37288-5 CSD19535KCS-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CSD19535KCS | |
| 관련 링크 | CSD195, CSD19535KCS 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
| UCY2W330MHD3 | 33µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can 12000 Hrs @ 105°C | UCY2W330MHD3.pdf | ||
![]() | RT1206CRB0764R9L | RES SMD 64.9 OHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRB0764R9L.pdf | |
![]() | MFR-25FBF52-38R3 | RES 38.3 OHM 1/4W 1% AXIAL | MFR-25FBF52-38R3.pdf | |
![]() | CMF60680K00BEEK | RES 680K OHM 1W 0.1% AXIAL | CMF60680K00BEEK.pdf | |
![]() | K4S161622D-TL10 | K4S161622D-TL10 SAMSUNG SMD or Through Hole | K4S161622D-TL10.pdf | |
![]() | TA5393 | TA5393 TOSHIBA SOP8 | TA5393.pdf | |
![]() | L846GGW | L846GGW L DIP | L846GGW.pdf | |
![]() | TC17GD22AT | TC17GD22AT ORIGINAL c | TC17GD22AT.pdf | |
![]() | TS358CD | TS358CD TSC DIP-8 | TS358CD.pdf | |
![]() | VL82C101B-OC | VL82C101B-OC VLSI PLCC-84 | VL82C101B-OC.pdf | |
![]() | LQW1608A3N9C00T1M | LQW1608A3N9C00T1M MURATA SMD or Through Hole | LQW1608A3N9C00T1M.pdf |