창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD19534Q5AT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CSD19534Q5A | |
| 제조업체 제품 페이지 | CSD19534Q5AT Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 15.1m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1680pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 3.2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-VSON(5x6) | |
| 표준 포장 | 250 | |
| 다른 이름 | 296-37838-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CSD19534Q5AT | |
| 관련 링크 | CSD1953, CSD19534Q5AT 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
![]() | CGA2B3X7R1E104K050BB | 0.10µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CGA2B3X7R1E104K050BB.pdf | |
![]() | MKP385191160JDI2B0 | 910pF Film Capacitor 550V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.158" W (12.50mm x 4.00mm) | MKP385191160JDI2B0.pdf | |
![]() | RT0805DRE07825RL | RES SMD 825 OHM 0.5% 1/8W 0805 | RT0805DRE07825RL.pdf | |
![]() | H8147RBZA | RES 147 OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H8147RBZA.pdf | |
![]() | GM7X256-10 | GM7X256-10 ORIGINAL DIP | GM7X256-10.pdf | |
![]() | Idt7143S70J | Idt7143S70J IDT PLCC | Idt7143S70J.pdf | |
![]() | MAX9209EUM+D | MAX9209EUM+D MAXIM TSSOP | MAX9209EUM+D.pdf | |
![]() | L607501 | L607501 ST DIP | L607501.pdf | |
![]() | AO765279 | AO765279 ST QFP | AO765279.pdf | |
![]() | ECWH12203JV | ECWH12203JV ORIGINAL SMD or Through Hole | ECWH12203JV.pdf | |
![]() | QBA-12 | QBA-12 MINI-CIRCUITS nlu | QBA-12.pdf | |
![]() | NMC0402NPO200F50TR | NMC0402NPO200F50TR NIC SMD | NMC0402NPO200F50TR.pdf |