홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » CSD19534KCS

Texas Instruments CSD19534KCS

CSD19534KCS
제조업체 부품 번호
CSD19534KCS
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 100V 100A TO220
데이터 시트 다운로드
다운로드
CSD19534KCS 가격 및 조달

가능 수량

8871 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 639.38200
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 CSD19534KCS 재고가 있습니다. 우리는 Texas Instruments 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Texas Instruments 전자 부품 전문. CSD19534KCS 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. CSD19534KCS가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
CSD19534KCS 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
CSD19534KCS 매개 변수
내부 부품 번호EIS-CSD19534KCS
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서CSD19534KCS
PCN 조립/원산지Site Chg 04/Dec/2015
Site Chg 25/Jan/2016
제조업체 제품 페이지CSD19534KCS Specifications
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Texas Instruments
계열NexFET™
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C100A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs16.5m옴 @ 30A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3.4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs22.2nC @ 10V
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1670pF @ 50V
전력 - 최대118W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3
공급 장치 패키지TO-220-3
표준 포장 50
다른 이름296-38676-5
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)CSD19534KCS
관련 링크CSD195, CSD19534KCS 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통
CSD19534KCS 의 관련 제품
10000pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) FK18X7R1H103K.pdf
RES ARRAY 8 RES 560K OHM 1608 CAT25-564JALF.pdf
PALCE16V8L-15DM/883 LATTICE DIP PALCE16V8L-15DM/883.pdf
41560 FAIRCHILD SPM26 41560.pdf
SBR5U45SP5-13 DIODES PowerDI5 SBR5U45SP5-13.pdf
MT29C1G56MAUAAAJC-6IT MICRONAS BGA MT29C1G56MAUAAAJC-6IT.pdf
2N2031W MICROSEMI SMD 2N2031W.pdf
PF90X C1 ORIGINAL SMD or Through Hole PF90X C1.pdf
ECEA1EU471 PANASONIC DIP ECEA1EU471.pdf
Q69660M0271K072 EPCOS SMD Q69660M0271K072.pdf
KDD1 ROHM TSSOP8 KDD1.pdf