창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD19533Q5A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CSD19533Q5A Datasheet | |
| 제조업체 제품 페이지 | CSD19533Q5A Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11.1m옴 @ 13A, 6V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 35nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2670pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 3.2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-VSON(5x6) | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 296-37479-2 CSD19533Q5A-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CSD19533Q5A | |
| 관련 링크 | CSD195, CSD19533Q5A 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
![]() | CMF60120K00DEEA | RES 120K OHM 1W .5% AXIAL | CMF60120K00DEEA.pdf | |
![]() | Q4123-A | Q4123-A COILCRAFT SMD or Through Hole | Q4123-A.pdf | |
![]() | TCA430N | TCA430N ITT DIP | TCA430N.pdf | |
![]() | PS25-12-12 | PS25-12-12 ORIGINAL SMD or Through Hole | PS25-12-12.pdf | |
![]() | CD74AC541 | CD74AC541 TI SMD or Through Hole | CD74AC541.pdf | |
![]() | 9521CPX | 9521CPX D/C DIP | 9521CPX.pdf | |
![]() | 2NBS16-TG2-222 | 2NBS16-TG2-222 BOURNS SOP-16 | 2NBS16-TG2-222.pdf | |
![]() | PI5A318W | PI5A318W PERICOM SOP-8 | PI5A318W.pdf | |
![]() | FTB-1-1-75BA15+ | FTB-1-1-75BA15+ Mini-circuits SMD or Through Hole | FTB-1-1-75BA15+.pdf | |
![]() | RPM851A | RPM851A ROHM SMD or Through Hole | RPM851A.pdf | |
![]() | 220USC1500M30X50 | 220USC1500M30X50 Rubycon DIP-2 | 220USC1500M30X50.pdf | |
![]() | HDD10-24D05N15 | HDD10-24D05N15 HOPLITE SMD or Through Hole | HDD10-24D05N15.pdf |