창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD19533Q5A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CSD19533Q5A Datasheet | |
제조업체 제품 페이지 | CSD19533Q5A Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11.1m옴 @ 13A, 6V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 35nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2670pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 3.2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-VSON(5x6) | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 296-37479-2 CSD19533Q5A-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CSD19533Q5A | |
관련 링크 | CSD195, CSD19533Q5A 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 |
![]() | 80TYT8-2 | FLTR 3-PHS 4-WR 2-STG TERM 80A | 80TYT8-2.pdf | |
![]() | LQH43MN221J03L | 220µH Unshielded Wirewound Inductor 110mA 5.4 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | LQH43MN221J03L.pdf | |
![]() | CDRH26D11NP-2R2PC | 2.2µH Shielded Inductor 1.25A 111 mOhm Max Nonstandard | CDRH26D11NP-2R2PC.pdf | |
![]() | OPA251P | OPA251P BB DIP8 | OPA251P.pdf | |
![]() | ADP3310A 3.3 | ADP3310A 3.3 AD 3.9mm | ADP3310A 3.3.pdf | |
![]() | IC51-2564-1668-10 | IC51-2564-1668-10 YAMAICHI SMD or Through Hole | IC51-2564-1668-10.pdf | |
![]() | MA3110-L(TW)/11M | MA3110-L(TW)/11M PANASONIC SOT-23 | MA3110-L(TW)/11M.pdf | |
![]() | TLE4906H E6327 | TLE4906H E6327 Infineon SOT-23 | TLE4906H E6327.pdf | |
![]() | LC866852A | LC866852A SANYO QFP | LC866852A.pdf | |
![]() | 20R6-25CNT | 20R6-25CNT TI DIP | 20R6-25CNT.pdf | |
![]() | CETMK316BJ334KF-T | CETMK316BJ334KF-T ORIGINAL 1206 334K 25V | CETMK316BJ334KF-T.pdf | |
![]() | LC876748C-53E8-E | LC876748C-53E8-E LG QFP | LC876748C-53E8-E.pdf |