창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD19533KCS | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CSD19533KCS | |
PCN 조립/원산지 | Site Chg 04/Dec/2015 Site Chg 25/Jan/2016 | |
제조업체 제품 페이지 | CSD19533KCS Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10.5m옴 @ 55A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 35nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2670pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 188W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 296-37482-5 CSD19533KCS-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CSD19533KCS | |
관련 링크 | CSD195, CSD19533KCS 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 |
![]() | FQP3P20 | MOSFET P-CH 200V 2.8A TO-220 | FQP3P20.pdf | |
![]() | PEI 332 K | PEI 332 K HBCKAY SMD or Through Hole | PEI 332 K.pdf | |
![]() | XCS400-4FG456C | XCS400-4FG456C XILINX SMD or Through Hole | XCS400-4FG456C.pdf | |
![]() | QS7201-50Q | QS7201-50Q QSI Call | QS7201-50Q.pdf | |
![]() | 6.3ABC33 | 6.3ABC33 SANYO SMD | 6.3ABC33.pdf | |
![]() | MBB0207502K05 | MBB0207502K05 BEYSC SMD or Through Hole | MBB0207502K05.pdf | |
![]() | BCM7021RKPB1G | BCM7021RKPB1G BROADCOM SMD or Through Hole | BCM7021RKPB1G.pdf | |
![]() | LQH4N100K04M00-01 | LQH4N100K04M00-01 MURATA SMD or Through Hole | LQH4N100K04M00-01.pdf | |
![]() | LTCMC | LTCMC LINEAR SMD or Through Hole | LTCMC.pdf | |
![]() | MAX3233EEWP/ECWP | MAX3233EEWP/ECWP MAX SMD or Through Hole | MAX3233EEWP/ECWP.pdf | |
![]() | RPE110X7R102K50 DIP-102K | RPE110X7R102K50 DIP-102K MURATA SMD or Through Hole | RPE110X7R102K50 DIP-102K.pdf |