창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD19532Q5B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CSD19532Q5B Datasheet | |
애플리케이션 노트 | Ringing Reduction Techniques for MOSFETS | |
PCN 설계/사양 | Qualification Revision A 01/Jul/2014 | |
PCN 조립/원산지 | Qualification Wire Bond 27/May/2014 Assembly/Test Site Transfer 19/Dec/2014 | |
제조업체 제품 페이지 | CSD19532Q5B Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.9m옴 @ 17A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 62nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4810pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 3.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-VSON(5x6) | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 296-37478-2 CSD19532Q5B-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CSD19532Q5B | |
관련 링크 | CSD195, CSD19532Q5B 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 |
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![]() | S-80860ANNP / EJQ | S-80860ANNP / EJQ ORIGINAL SOT-243 | S-80860ANNP / EJQ.pdf | |
![]() | CS2015.000MABJUT | CS2015.000MABJUT CITIZEN SMD or Through Hole | CS2015.000MABJUT.pdf | |
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![]() | MR16-12V50W38D3/4 | MR16-12V50W38D3/4 K-Light SMD or Through Hole | MR16-12V50W38D3/4.pdf | |
![]() | ECHU1C822JB5 | ECHU1C822JB5 PAN SMD or Through Hole | ECHU1C822JB5.pdf |