창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD19531Q5AT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CSD19531Q5A Datasheet Wide Vin DC/DC Power Solutions Guide | |
| 제조업체 제품 페이지 | CSD19531Q5AT Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.4m옴 @ 16A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 48nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3870pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 3.3W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-VSON(5x6) | |
| 표준 포장 | 250 | |
| 다른 이름 | 296-37749-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CSD19531Q5AT | |
| 관련 링크 | CSD1953, CSD19531Q5AT 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
![]() | 135D365X9125C2 | 3.6µF Hermetically Sealed Tantalum Capacitors 125V Axial 10 Ohm 0.203" Dia x 0.453" L (5.16mm x 11.51mm) | 135D365X9125C2.pdf | |
![]() | ESD8040MUTAG | TVS DIODE 3.3VWM 12VC 18-DFN | ESD8040MUTAG.pdf | |
![]() | CRCW0201191RFNED | RES SMD 191 OHM 1% 1/20W 0201 | CRCW0201191RFNED.pdf | |
![]() | YC162-FR-0747K5L | RES ARRAY 2 RES 47.5K OHM 0606 | YC162-FR-0747K5L.pdf | |
![]() | 58-84933R02 | 58-84933R02 MIDWEST SMA | 58-84933R02.pdf | |
![]() | 1N4760A-G | 1N4760A-G PANJIT DO-41 | 1N4760A-G.pdf | |
![]() | BT964AKPF | BT964AKPF BT QFP | BT964AKPF.pdf | |
![]() | A100P150-4TI | A100P150-4TI Littelfuse SMD or Through Hole | A100P150-4TI.pdf | |
![]() | LSB08C | LSB08C ORIGINAL SMD or Through Hole | LSB08C.pdf | |
![]() | RMW200N03 | RMW200N03 ROHM SMD or Through Hole | RMW200N03.pdf |