창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD19531Q5AT | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CSD19531Q5A Datasheet Wide Vin DC/DC Power Solutions Guide | |
제조업체 제품 페이지 | CSD19531Q5AT Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.4m옴 @ 16A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 48nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3870pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 3.3W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-VSON(5x6) | |
표준 포장 | 250 | |
다른 이름 | 296-37749-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CSD19531Q5AT | |
관련 링크 | CSD1953, CSD19531Q5AT 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 |
![]() | 0453003.NR | FUSE BRD MNT 3A 125VAC/VDC 2SMD | 0453003.NR.pdf | |
![]() | LRC-LR2010-01-R050-J | LRC-LR2010-01-R050-J IRC SMD or Through Hole | LRC-LR2010-01-R050-J.pdf | |
![]() | L24C32 | L24C32 LZ SOP-8 | L24C32.pdf | |
![]() | AN78L09M | AN78L09M PANASONIC SMD or Through Hole | AN78L09M.pdf | |
![]() | CT50A0 | CT50A0 SAMSUNG BGA | CT50A0.pdf | |
![]() | SST39WF1602-70-4C-MBQE | SST39WF1602-70-4C-MBQE SST SMD or Through Hole | SST39WF1602-70-4C-MBQE.pdf | |
![]() | M48TO08-150PCI | M48TO08-150PCI ORIGINAL DIP | M48TO08-150PCI.pdf | |
![]() | H75631SKB | H75631SKB HARRIS SOP8 | H75631SKB.pdf | |
![]() | IDT552G-02ILNT | IDT552G-02ILNT IDT SOP | IDT552G-02ILNT.pdf | |
![]() | LM4120AIM5-3.0/NOPB | LM4120AIM5-3.0/NOPB NSC SMD or Through Hole | LM4120AIM5-3.0/NOPB.pdf | |
![]() | JWFI2012C2R4KT/0805-2.4UH | JWFI2012C2R4KT/0805-2.4UH ORIGINAL SMD or Through Hole | JWFI2012C2R4KT/0805-2.4UH.pdf |